عملية OVD: تشكيل الألياف الضوئية 185 مم G.657.A1
مواصفات التشكيل
أبعاد التشكيل
يجب أن تكون أبعاد التشكيل كما في الجدول 1.1 أدناه.
الجدول 1.1 أبعاد التشكيل
| غرض | متطلبات | ملاحظة | |
| 1 | متوسط قطر التشكيل (OD) | 135 ~ 160 ملم | (الملاحظة 1.1) |
| 2 | الحد الأقصى لقطر التشكيل (ODmax) | ≥ 160 ملم | |
| 3 | الحد الأدنى لقطر التشكيل (ODmin) | ≥ 130 ملم | |
| 4 | التسامح مع OD (ضمن التشكيل) | ≥ 20 مم (في الجزء المستقيم) | |
| 5 | طول التشكيل (بما في ذلك جزء المقبض) | 2600 ~ 3600 ملم | (الملاحظة 1.2) |
| 6 | طول فعال | ≥ 1800 ملم | |
| 7 | طول تفتق | ≥ 250 ملم | |
| 8 | القطر في نهاية تفتق | ≥ 30 | |
| 9 | التشكيل غير الدائرية | ≥ 1% | |
| 10 | خطأ في التركيز | ≥ 0.5 ميكرومتر | |
| 11 | مظهر | (الملاحظة 1.4 و1.5) |
الشكل 1.1 شكل التشكيل
الملاحظة 1.4: يُسمح بوجود الفقاعات في منطقة الكسوة الخارجية (انظر الشكل 1.2)، حسب الحجم؛ يجب ألا يتجاوز عدد الفقاعات لكل وحدة حجم ما هو منصوص عليه في الجدول 1.2 أدناه.
الجدول 1.2 الفقاعة في التشكيل
موقع وحجم الفقاعة | العدد / 1000 سم3 | |
المنطقة الأساسية (=الأساسية + الكسوة الداخلية) | (انظر الملاحظة 1.5) | |
| منطقة الكسوة الخارجية (= الواجهة + الكسوة الخارجية) | ~ 0.5 ملم | لا العد |
0.5 ~ 1.0 ملم | ≥ 10 | |
1.0 ~ 1.5 ملم | ≥ 2 | |
1.5 ~ 2.0 ملم | ≥ 1.0 | |
2.1 ملم ~ | (انظر الملاحظة 1.5) | |
الشكل 1.2 عرض مقطعي للتشكيل
الشكل 1.2 عرض مقطعي للتشكيل
الوزن القابل للشحن
خصائص الألياف المستهدفة
عندما تكون ظروف الرسم وظروف القياس مثالية ومستقرة، من المتوقع أن تلبي القوالب مواصفات الألياف المستهدفة كما هو موضح في الجدول 2.1.
الجدول 2.1 خصائص الألياف المستهدفة
غرض | متطلبات |
| |
1 | التوهين عند 1310 نانومتر | ≥ 0.35 ديسيبل/كم |
|
التوهين عند 1383 نانومتر | ≥ 0.35 ديسيبل/كم | (الملاحظة 2.1) | |
التوهين عند 1550 نانومتر | ≥ 0.21 ديسيبل/كم |
| |
التوهين عند 1625 نانومتر | ≥ 0.23 ديسيبل/كم |
| |
توحيد التوهين | ≥ 0.05 ديسيبل/كم عند 1310 و1550 نانومتر |
| |
2 | وضع قطر المجال عند 1310 نانومتر | 9.0 ± 0.4 ميكرومتر |
|
3 | الطول الموجي لقطع الكابل (lectcc) | ≥ 1260 نانومتر |
|
4 | الطول الموجي صفر التشتت (μ0) | 1300 ~ 1324 نانومتر |
|
5 | التشتت عند 1285 ~ 1340 نانومتر | -3.8 ~ 3.5 ملاحظة/(نانومتر·كم) |
|
6 | التشتت 1550 نانومتر | 13.3 ~ 18.6 ملاحظة/(نانومتر·كم) |
|
7 | التشتت 1625 نانومتر | 17.2 ~ 23.7 ملاحظة/(نانومتر·كم) |
|
8 | منحدر التشتت عند 0 | 0.073 ~0.092 ملاحظة/(nm2·كم) |
|
9 | خطأ في تركيز النواة/الكسوة | ≥ 0.5 ميكرومتر |
|
10 | الانحناء الكلي الناجم عن الخسارة | (الملاحظة 2.2) | |
قطر 30 ملم، 10 دورات، عند 1550 نانومتر | ≥ 0.25 ديسيبل | ||
قطر 30 ملم، 10 دورات، عند 1625 نانومتر | ≥ 1.0 ديسيبل | ||
قطر 20 مم، دورة واحدة، عند 1550 نانومتر | ≥ 0.75 ديسيبل | ||
قطر 20 ملم، دورة واحدة، عند 1625 نانومتر | ≥ 1.5 ديسيبل | ||